پنجشنبه 17 اردیبهشت 1394  01:27 ق.ظ    ویرایش: - -

عنوان انگلیسی مقاله: Digital very-large-scale integration (VLSL) Hopfield neural network implementation on field programmable gate arrays (FPGA) for solving constraint satisfaction problems
عنوان فارسی مقاله: پیاده سازی شبکه عصبی هوپفیلد مجتمع سازی گسترده ی دیجیتال، در آرایه های گیت قابل برنامه ریزی میدان برای حل مسایل محدودیت رضایت.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 30
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
این مقاله در مورد پیاده سازی شبکه های عصبی Hopfield برای حل مسایل مربوط به محدودیت رضایت با استفاده از آرایه های گیت قابل برنامه ریزی میدان FPGA بحث می کند. این مقاله در مورد روش های فرمول بندی این مسایل همانند شبکه های عصبی گسسته بحث می کند، و سپس مساله ی N-queen را با استفاده از فرمولبندی بدست آمده تشریح می کند. سرانجام، نتایج ارایه شده زمان های محاسبه ی یک کامپیوتر معمولی برای شبیه سازی اجرای شبکه Hopfield بر روی یک فضای کاری باکیفیت، مقایسه می کنند. در این روش، رشد پیشرفت قابل مشاهده می باشد که نشان می دهد حداکثر رشد 2 تا 3 برابر دامنه _با استفاده از ابزارهای FPGA ممکن می باشد.
کلیدواژه: شبکه عصبی هوپفیلد، آرایه های گیت قابل برنامه ریزی میدان، مساله ی N-queen
مقدمه:
بسیاری از مسایل بهینه سازی تجارت و صنعت در عمل را می توان با استفاده از متغیرهای تصمیم گیری دودویی (باینری)، به عنوان مسایل برنامه نویسی استاندارد ریاضی فرمول بندی کرد. حل این مسایل _به دلیل طبیعت عصب سخت پیچیدگی آنها (NP-hard) نیاز به بکاربری از فن آوری های هوشمند و الگوریتم های تقریبی دارند؛ در سال 1985 شبکه های عصبی برای حل این مشکل ارایه شدند، اما باز هم مسایلی همچون کیفیت ضعیف راه حل ها و عدم تضمین راه حل نهایی عملی مشکل ساز بودند. این مسایل اولیه امروزه برطرف شده اند. روش هایی برای کمک به شبکه عصبی Hopfield تا حداقل عملکرد انرژی ناحیه ای را تامین کند، ارایه شده اند و ساختار مناسب این عملکرد انرژی عملی بودن راه حل را تضمین می کند. با استفاده از این پیشرفت ها، نتایج شبکه ی عصبی بدست آمده اند که بطور موثری (و حتی بهتر) با دیگر فن آوری های هوشمند معروف مانند بازپخت شبیه سازی شده، رقابت می کنند.


   


نظرات()  
چهارشنبه 16 اردیبهشت 1394  11:44 ق.ظ    ویرایش: - -

عنوان انگلیسی مقاله: Motion camouflage in a stochastic setting
عنوان فارسی مقاله: استتار جنبشی در یک وضعیت تصادفی
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 20
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
این کار مدل‌های دو و سه بُعدی و قوانین کنترل هدایتی برای استتار جنبشی، که یک استراتژی تعقیب مخفیانه در طبیعت است، را به زبان ریاضی بیان می‌کند. در اینجا ما مدل را توسعه می‌دهیم تا دربرگیرنده استفاده از یک قانون تعقیب با بهره بالا در حضور نویز حسگر و نیز در مواقعی باشد که هدایت گریزنده توسط یک فرایند تصادفی فرمان داده می‌شود، تا نشان داده شود که (در تنظیمات مسطح) استتار جنبشی هنوز در زمان محدود قابل دسترسی است. همچنین ما خانواده‌ای از کنترل‌های تصادفی مُجاز گریزنده را بحث کرده و بدین ترتیب برای مطالعه آتی نظریه بازی‌های مربوط به استراتژی‌های بهینه گریز طرحی را بیان می‌کنیم.



   


نظرات()  
چهارشنبه 16 اردیبهشت 1394  11:22 ق.ظ    ویرایش: - -

عنوان انگلیسی مقاله: Intelligent Frequency Control in an AC Microgrid: Online PSO-Based Fuzzy Tuning Approach
عنوان فارسی مقاله:  کنترل فرکانس هوشمند در یک ریزشبکه برق متناوب: تکنیک تنظیم فازی مبنی بر بهینه سازی ازدحام ذره آنلاین.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 24
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
سیستم های قدرت مدرن، نیازمند افزایش هوش و انعطاف پذیری در کنترل و بهینه سازی هستند، تا از قابلیت تثبیت تعادل میان بار و تولید به دنبال تداخلات جدی اطمینان حاصل شود. این قضیه امروز، به سبب افزایش تعداد ریزشبکه ها (MG)، در حال یافتن اهمیتی بیش از پیش است. ریزشبکه ها اغلب از انرژی های تجدیدپذیر برای تولید توان الکتریکی استفاده می کنند، که تولید توان با این انرژی ها، طبیعتا متغیر است. این تغییرات و عدم قطعیت های رایج در  سیستم قدرت، موجب می شود که کنترل کننده های قدیمی نتوانند عملکرد مناسبی را در بازه های گسترده شرایط عملیاتی، ارایه دهند. در پاسخ به این چالش، این مقاله یک روش هوشمند آنلاین جدید را، با آمیختن تکنیک های منطق فازی و بهینه سازی ازدحام ذرات (PSO)، برای تنظیم بهینه ی معروف ترین کنترل کننده های مبتنی بر تناسبی-انتگرالی (PI) در سیستم های میکرو شبکه، ارایه می دهد. این روش طراحی کنترل، بر روی یک ریزشبکه AC به عنوان مورد آزمایشی تست شده است. عملکرد ترکیب کنترلی هوشمند ارایه شده، با روش های کنترل PI کاملا فازی و کنترل PI زیگلر-نیکولز، مقایسه شده است. 
اصطلاحات شاخص ــ منطق فازی، کنترل هوشمند، ریزشبکه، تنظیم بهینه، بهینه سازی ازدحام ذره، کنترل فرکانس ثانویه.
1.مقدمه:
افزایش نیاز به توان الکتریکی، موجب شده است تا بسیاری از منابع غیرمعمولی نیز وارد سیستم قدرت شوند، که این منابع، پیچیدگی و عدم دقت سیستم را افزایش می دهند. از منابع انرژی های نو (تجدیدپذیر) (RES)، اغلب بعنوان واحدهای تولید کننده جایگزین در یک سیستم قدرت مدرن، استفاده می شود. افزایش نفوذ RESها (منابع انرژی های نو)، دارای مزیت هایی می باشد، اما همچنین چالش های تازه ای را نیز به بار می آورد که آیا این منابع می توانند بطور پایدار در کنار واحدهای تولید کننده ی موجود، کار کنند یا نه.
برخی از چالش های فنی که توسط منابع انرژی های نو ایجاد می شوند، تعمیر و نگهداری و حفاظت از RESها می باشد که این مسایل، در رگولاسیون ولتاژ و فرکانس سیستم، و نیز در طرح کنترلی مناسب هم در حالت متصل به شبکه، و هم در حالت جدای از شبکه تاثیر می گذارند.


   


نظرات()  
چهارشنبه 16 اردیبهشت 1394  09:17 ق.ظ    ویرایش: - -

عنوان انگلیسی مقاله: New CMOS Inverter-Based Voltage Multipliers
عنوان فارسی مقاله:  ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلی جدید.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 15
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
چهار ضرب کننده ولتاژ برمبنای اینورتر CMOS جدید تشکیل شده از ترانزیستورهای عبورPMOS/NMOS، مدارات اینورتر، و خازن ها، در این مقاله ارایه شده اند. ضرب کننده های ولتاژ ارائه شده که عملیات یکسوسازها و پمپ های شارژ را با هم انجام می دهند، بازده تبدیل توان را بالا برده و تعداد مولفه های واکنشی (غیر فعال یا پسیو) را کاهش می دهد، بنابر این برای ساخت آی سی مناسب می باشند. ضرب کننده ولتاژ با ولتاژ خروجی مثبت، توسط فرآیندهای TSMC 0.35μm CMOS 2P4M پیاده سازی شده، و نتایج آزمایشی نیز مطابقت خوبی با تجزیه و تحلیل های نظری داشتند. سطح تراشه ی بدون پد، به ازای ولتاژ خروجی مثبت پنج-مرحله ای ضرب کننده ولتاژ، تنها 1.75×1.32 mm2 می باشد.
1.مقدمه:
کاربرد بیشتر و بیشتر ضرب کننده های ولتاژ، در زمینه های مختلف در نوشتجات گوناگون را می توان دید. یک پمپ شارژ AC/DC که گاهی نیز ضرب کننده ولتاژ نامیده می شود، ولتاژ AC ورودی را به ولتاژ خروجی DCبا دامنه ی افزایش یافته تبدیل می کند. به سبب ساختار ساده ی آن و عملکرد تبدیل مناسب، مدارات یکسوساز بطور گسترده ای در تشخیص فرکانس رادیویی (RFID)، تلمتری بیسیم، کاشت های پزشکی و کاربرد های دیگر، استفاده می شوند.
برای تحقیق مبدل AC/DC، یکسوسازهای تمام موج مرسوم تشکیل شده از ترانزیستورهای PMOS و NMOS دیود-متصل-شده، دارای مشکل تلفات توان مبنی بر ولتاژ آستانه ذاتی می باشند [4]. این یکسوساز معمولن در مدارات ولتاژ بالا که افت ولتاژ مستقیم دیود پایین است، کاربرد دارد. برای یکسوسازهای ولتاژ پایین، این افت ولتاژ به اندازه ی چشم گیری زیاد بوده و وابسته به جریان عبوری می باشد. ولتاژ خروجی یکسو شده و بازده ی تبدیل توان (PCE) را کاهش می دهد. به منظور بالا بردن بازده ی یکسوساز، یک یکسوساز فعال با افت ولتاژ کم، در [5] آورده شده است.


   


نظرات()  
چهارشنبه 16 اردیبهشت 1394  09:05 ق.ظ    ویرایش: - -

عنوان انگلیسی مقاله: LECTOR: A Technique for Leakage Reduction in CMOS Circuits
عنوان فارسی مقاله: لکتور: روشی برای کاهش نشتی در مدارات نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 32
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
در مدارات سیموس،کاهش ولتاژ آستانه به دلیل مقیاس بندی ولتاژ، منتهی به جریان نشتی زیرآستانه و در نتیجه تلفات توان ایستا (استاتیک) می شود. در اینجا ما روشی تازه به نام LECTOR برای طراحی گیت های سیموس که به  طور قابل توجهی جریان نشتی را بدون افزایش تلفات توان پویا (دینامیک) کاهش می دهد، ارایه می کنیم. در روش پیشنهاد شده ما،دو ترانزیستور کنترل نشتی (یکی نوع n و دیگری نوع p) در درون دروازه های منطقی که ترمینال گیت هر ترانزیستور کنترل نشتی (LCT) توسط منبع گیت دیگر کنترل می شود را معرفی می کنیم. در این آرایش،یکی از LCTها (منظور ترانزیستورهای کنترل نشتی) همیشه به ازای هر ترکیب ورودی، نزدیک به ولتاژ قطع می باشد. این مقاومت مسیر Vdd به گراند را کاهش داده، که این منجر به کاهش چشمگیر جریان نشتی می شود. نت لیست سطح-گیت مدار داده شده، نخست به یک پیاده سازی گیت پیچیده ی CMOS استاتیک تبدیل شده، و سپس LCTها به منظور دستیابی به یک مدار کنترل نشتی معرفی می شوند. ویژگی قابل توجه LECTOR این است که در هر دو حالت فعال و غیرفعال مدار، فعال می باشد که این منجر به کاهش نشتی بهتری نسبت به روش های دیگر می شود. همچنین، روش ارایه شده، دارای محدودیت های کمتری نسبت به دیگر روش های موجود برای کاهش نشتی دارد. نتایج تجربی نشان دهنده ی یک کاهش نشتی متوسط 79.4 درصدی را برای مدارات محک(بنچ مارک) MCNC’91 نشان می دهند.
کلیدواژه: ریزمیکرون ژرف، نشت توان، بهینه سازی توان، پشته ترانزیستور
1.مقدمه:
تلف توان موضوع مهمی در طراحی مدارات CMOS VLSI می باشد. مصرف توان زیاد،موجب کاهش عمر باطری در کاربردهای دارای باطری می شود و در قابلیت اطمینان، بسته ای سازی، و هزینه های خنک سازی تاثیر می گذارد. منابع اصلی تلفات توان این ها هستند: 1) تلفات توان خازنی مبنی بر شارژ و تخلیه ی(دشارژ) خازن بار. 2) جریان های اتصال کوتاه،بدلیل وجود یک مسیر رسانا میان منبع ولتاژ و گراند برای مدت کوتاهی در حین اینکه یک دروازه منطقی در حال عبور جریان از خود است؛ و 3) جریان نشتی. جریان نشتی شامل جریان های دیود بایاس معکوس و جریان های زیرآستانه می باشد.


   


نظرات()  
چهارشنبه 16 اردیبهشت 1394  08:21 ق.ظ    ویرایش: - -

عنوان انگلیسی مقاله: New CMOS Inverter-Based Voltage Multipliers
عنوان فارسی مقاله:  ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلی جدید.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 15
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
چهار ضرب کننده ولتاژ برمبنای اینورتر CMOS جدید تشکیل شده از ترانزیستورهای عبورPMOS/NMOS، مدارات اینورتر، و خازن ها، در این مقاله ارایه شده اند. ضرب کننده های ولتاژ ارائه شده که عملیات یکسوسازها و پمپ های شارژ را با هم انجام می دهند، بازده تبدیل توان را بالا برده و تعداد مولفه های واکنشی (غیر فعال یا پسیو) را کاهش می دهد، بنابر این برای ساخت آی سی مناسب می باشند. ضرب کننده ولتاژ با ولتاژ خروجی مثبت، توسط فرآیندهای TSMC 0.35μm CMOS 2P4M پیاده سازی شده، و نتایج آزمایشی نیز مطابقت خوبی با تجزیه و تحلیل های نظری داشتند. سطح تراشه ی بدون پد، به ازای ولتاژ خروجی مثبت پنج-مرحله ای ضرب کننده ولتاژ، تنها 1.75×1.32 mm2 می باشد.
1.مقدمه:
کاربرد بیشتر و بیشتر ضرب کننده های ولتاژ، در زمینه های مختلف در نوشتجات گوناگون را می توان دید. یک پمپ شارژ AC/DC که گاهی نیز ضرب کننده ولتاژ نامیده می شود، ولتاژ AC ورودی را به ولتاژ خروجی DCبا دامنه ی افزایش یافته تبدیل می کند. به سبب ساختار ساده ی آن و عملکرد تبدیل مناسب، مدارات یکسوساز بطور گسترده ای در تشخیص فرکانس رادیویی (RFID)، تلمتری بیسیم، کاشت های پزشکی و کاربرد های دیگر، استفاده می شوند.
برای تحقیق مبدل AC/DC، یکسوسازهای تمام موج مرسوم تشکیل شده از ترانزیستورهای PMOS و NMOS دیود-متصل-شده، دارای مشکل تلفات توان مبنی بر ولتاژ آستانه ذاتی می باشند [4]. این یکسوساز معمولن در مدارات ولتاژ بالا که افت ولتاژ مستقیم دیود پایین است، کاربرد دارد. برای یکسوسازهای ولتاژ پایین، این افت ولتاژ به اندازه ی چشم گیری زیاد بوده و وابسته به جریان عبوری می باشد. ولتاژ خروجی یکسو شده و بازده ی تبدیل توان (PCE) را کاهش می دهد. به منظور بالا بردن بازده ی یکسوساز، یک یکسوساز فعال با افت ولتاژ کم، در [5] آورده شده است.


   


نظرات()  
چهارشنبه 16 اردیبهشت 1394  08:10 ق.ظ    ویرایش: - -

عنوان انگلیسی مقاله: Low Thermal Budget Monolithic Integration of Evanescent-Coupled Ge-on-SOI Photodetector on Si CMOS Platform
عنوان فارسی مقاله:  مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم-حرارتی آشکارساز نوری ژرمانیوم-روی-سیلیکون با تزویج میرا شونده بر روی پلتفرم نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى سیلیکونی.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 24
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
طراحی و ساخت آشکارساز نور ژرمانیوم-روی-سیلیکون-روی-عایق (SOI)(منظور آشکارسازی با لایه های به ترتیب ژرمانیوم، سیلیکون و عایق بر روی یکدیگر)، با تزویج میرا شونده که بطور یکپارچه مجتمع شده است و مدارات CMOS، بر روی پلات-فرم های (پایگاه های) SOI رایج با استفاده از روش مجتمع سازی "نخست-الکترونی و سپس-فوتونی" ساخته شده است. آشکارساز نور با کارایی بالا، با یک موج بر سیلیکونی مجتمع شده، بر روی لایه همبافته جذب کننده-ژرمانیوم که بر روی یک لایه SOI بسیار نازک بطور هدفمند رشد داده شده است، نشان داده شده است. معیارهای عملکرد طراحی آشکارساز نور را که پیکربندی های PIN عمودی و جانبی را نمایان می کنند، مورد تحقیق قرار گرفته اند. زمانی که در بایاس -1.0 v کار میکند، یک آشکارساز PIN عمودی دارای جریانIdark کمتر از ∼0.57میکرو آمپر می باشد؛ در حالی که یک آشکارساز PIN جانبی مقداری کمتر از حد بالایی 1 میکروآمپری متناوب که برای گیرنده های-سرعت-بالا قابل قبول است_ دارد. پاسخدهی بسیار سریع ∼0.92 A/W، در هر دو طراحی آشکارساز به ازای طول موج 1550 نانومتر بدست آمده است، که درای بازده کوآنتومی 73% می باشد. اندازه گیری های پاسخ ضربه نشان دادند که آشکارساز PIN عمودی، در نیم-حداکثر ∼24.4 ps در یک آشکارساز PIN جانبی، به یک تمام-عرض کوچک تر افزایش پیدا می کند، که در -3 dB با پهنای باند 11.3 گیگاهرتز انجام می پذیرد. آن طور که پیداست، تاخیر زمان RC، مهم ترین عامل در پایین آوردن عملیت سرعت می باشد. به علاوه اندازه گیری طرح چشم (ترتیب باینری شبه تصادفی 2^7-1)، دستیابی آشکار سازی نوری سرعت-بالا و کم-نویز را در سرعت ذره ای (بیت ریت) 8.5 گیگابایت بر ثانیه تحقیق می کند. همچنین مشخصه های انتقال و خروجی بسیار خوب، با مدارات مجتمع (آی سی ها) اینورتر CMOS، به اضافه عملکرد های درست منطقی، بدست آمده است. معرفی یک بادجت حرارتی اضافی (800 درجه سیلیسیوس) منتج شده از رشد همبافتی ژرمانیوم، اثر زیان آور قابل مشاهده ای کنترل کانال-کوتاه مدار اینورتر CMOS ندارد. ما همچنین، مباحث مربوط به مجتمع سازی یکپارچه را روشن سازی کرده و در مورد پتانسیل گیرنده آشکارساز-Ge/CMOS سلیکونبرای کاربردهای مخابراتی فیبر نوری آینده، بحث خواهیم کرد.

   


نظرات()  

ساعت مچی تیسوت

خرید ساعت مچی تیسوت
شبکه اجتماعی فارسی کلوب | Buy Website Traffic | Buy Targeted Website Traffic